美光跳过一代NAND技术：G11芯片突破400层，瞄准AI存储具体真相是什么
更新时间: 2026-10-24 04:10 发布时间: 57分钟前
860核心提示：美光计划跳过一代 NAND 闪存技术，直接从当前的第九代（G9）跃升至第十一代（G11），承诺推出层数突破 400 层、密度更高且速度更快的芯片。该公司预计将于 2027 年下半年开始量产爬坡。美光现有的 G9 NAND 采用 276 层结构，首次应用于 2024 年 7 月发布的 Micron 2650 客户端固态硬盘（SSD）。美光总
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