台积电昨日在一份声明中表示，将在未来两年内逐步淘汰其化合物半导体氮化镓 （GaN） 业务，并援引市场动态。
这家全球最大的合同芯片制造商表示，这一决定不会影响其之前宣布的财务目标。
“我们正在与客户密切合作，以确保平稳过渡，并在此期间继续致力于满足他们的需求，”它说。“我们的重点仍然是为我们的合作伙伴和市场提供持续的价值。”
台积电的最新举措出乎意料，因为这家芯片制造商在其年度报告中表示，它已经开发了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，预计将于今年开始生产，同时它正在开发 8 英寸 650 伏增强型高电子迁移率晶体管，计划明年生产。
基于 GaN 的芯片正在成为硅基芯片的替代品，适用于需要高功率效率、更快开关速度和更小外形尺寸的应用。这些芯片用于汽车行业、数据中心和光电子领域。
纳微半导体在周二的一份声明中表示，力晶半导体制造有限公司将接替台积电成为纳微半导体（Navitas Semiconductor Inc.）的高压氮化镓芯片供应商。
Powerchip 已与 Navitas 达成协议，在其位于苗栗县湖南科学园的 200 毫米工厂生产 GaN 芯片。
纳微半导体表示，Powerchip 将制造纳微半导体的 GaN 产品组合，额定电压从 100 伏到 650 伏不等，以支持超大规模人工智能数据中心和电动汽车不断增长的需求。
纳微半导体表示，预计今年第四季度将对初始器件进行认证，100 伏系列预计将于明年上半年在 Powerchip 开始生产，而 650 伏器件将在未来 12 至 24 个月内从台积电过渡到 Powerchip。
该公司补充说，Powerchip 的晶圆厂自 2019 年开始运营，支持从 microLED 到射频 GaN 器件的大批量制造工艺。